6.主な知的財産権目録、基準規範
主な知的財産権認定ディレクトリ
知的財産権カテゴリ | 知的財産権の具体的な名称 | 国 (面積) | 承認番号 | 承認日 | 証明書番号 | 権利所有者 | 発明者 | 特許文献1の有効状態 |
とっきょ | 粉末冶金技術を利用して純鉄と鉄リン軟磁合金製品を製造する方法 | 中国 | ZL201310240381.6 | 2015年4月15日 | 1637 515 | 北京科学技術大学 | 曲選輝張暁峰秦明麗張琳 | 効率的 |
とっきょ | 高伝導性窒化アルミニウムセラミックスの製造方法 | 中国 | ZL 201510276618.5 | 2017-03-08 | 2489 039 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、陸慧峰、何青、呉浩陽、曲選輝 | 効率的 |
とっきょ | 均一な孔を有する異形多孔質タングステン製品の製造方法 | 中国 | ZL201510944267.0 | 2018年9月14日 | 3073591 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、李鋭、張琳、陳彭琦、盧慧峰、陳征、賈宝瑞、趙尚傑、曲選輝 | 効率的 |
とっきょ | 共沈−炭素熱還元法による窒化アルミニウム粉末の製造方法 | 中国 | ZL201010527703.1 | 2013年11月6日 | 1297 158 | 北京科学技術大学 | 曲選輝秦明麗貯愛民陸慧峰賈宝瑞 | 効率的 |
とっきょ | ナノ針状紫タングステン粉末の製造方法 | 中国 | ZL201510127999.0 | 2015 3月23日 | 2088 814 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、陳鵬琦、陳錚、李鋭、陸慧峰、呉浩陽、賈宝瑞、丁向英、曲選輝 | 効率的 |
とっきょ | 粉末マイクロ射出成形用熱可塑性プラスチック系接着剤の製造方法及びその使用方法 | 中国 | ZL201210216056.1 | 2015年4月29日 | 1651863 | 北京科学技術大学 | 尹海清、曲選輝、倪新磊 | 効率的 |
とっきょ | 窒化アルミニウムセラミックス射出成形接着剤及びその応用方法 | 中国 | ZL201510275590.3 | 2017 5月17日 | 2488 655 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、陸慧峰、張琳、賈宝瑞、何青、呉浩陽、曲選輝 | 効率的 |
とっきょ | 粉末冶金法による高性能鉄ニッケル軟磁合金の製造方法 | 中国 | ZL201010216980.0 | 2012年7月11日 | 北京科学技術大学 | 曲選輝、秦明麗、馬継東、王旭、張申恩、田建軍、劉章文 | 効率的 | |
とっきょ | ナノタングステン粉末の射出成形方法 | 中国 | ZL201510922732.0 | 2015年12月14日 | 2638 423 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、李鋭、張琳、趙尚傑、陳彭啓、盧慧峰、陳征、賈宝瑞、曲選輝 | 効率的 |
とっきょ | 希土類酸化物ドープタングステン粉末の製造方法 | 中国 | ZL201210128799.3 | 2013年9月11日 | 1270725 | 北京科学技術大学 | 秦明麗、張琳、劉鎏、曲選輝 | 効率的 |
7.主要完成者
プロジェクト完成の第一人者:曲学輝、教授、勤務先:北京科学技術大学。彼はプロジェクトの全体的な考え方、学術思想、理論技術体系の提案者であり、重要な技術研究と産業応用の組織者と実施者でもある。 革新点1-4に大きく貢献した。 異なる粉末材料システムに適用する新しい接着剤、成形と高効率脱脂技術を発明した。 2段階協同運動モデル、粉末接着剤」、そして発見、比重差」、二相分離の根本的な原因である。2相間の相互作用を増やすことで、2相分離の現象を減らすことができます。 初めて混沌理論を射出成形過程の研究に応用し、欠陥発生の不確実性メカニズムを明らかにした。 異なる粉末に対して、多種の新型接着剤を発明し、粉末充填均一性、成形ブランクの保形性、残留炭素または酸化、欠陥と寸法精度制御などの問題を効果的に解決することができる。
プロジェクト完成者:秦明利、勤務先:北京科学技術大学。 このプロジェクトの学術的構想、技術路線、実験案を提案し、「quot」を主宰した。高性能特殊粉末材料の近正味形状製造技術」、技術移転と応用モデルの実施に協力する。 主に革新点1、革新点2、革新点3の研究に参加する。 分散分級とプラズマ球状化を結合して球形タングステン粉末を製造する新しい方法を提案した。 表面エネルギーと格子歪み強化焼結及び構造活性化焼結原理に基づいて、金属タングステン鉄基軟磁性強化焼結の新技術を確立した、液相焼結と脱脂残炭の原理」、脱酸素」、高窒化アルミニウムの緻密化、粒界相量制御、格子浄化などの問題解決に総合的に応用する。 金属タングステンと鉄系軟磁合金製品の焼結密度は95%以上に向上し、電子衝撃